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发表于 前天 00:59 | 查看: 8| 回复: 0
恩华三唑仑「『網址』:———ctmyao.com———」DRAM 成本低,容量大,但是可用的 eDRAM IP 核工艺节点不先进,读取延迟(Latency)也大,且需要定期刷新数据。Flash 则属于非易失性存储器件,具有低成本优势,一般适合小算力场景。SRAM 在速度方面具有极大优势,有几乎最高的能效比,容量密度略小,在精度增强后可以保证较高精度,一般适用于云计算等大算力场景。本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息,本站不存储任何数据与内容,任何内容与数据均与本站无关,如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度,google,bing,sogou 等「『網址』:———ctmyao.com———」恩华三唑仑「『網址』:———ctmyao.com———」



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